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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0168448 (2017-12-08) | |
공개번호 | 10-2019-0068242 (2019-06-18) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170168448 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-12-08) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 ZnTe 코어 양자점과 상기 ZnTe 코어 양자점을 둘러싼 ZnSe 쉘 양자점을 포함한 ZnTe/ZnSe 양자점으로서 갈륨 및 알루미늄 중의 하나 이상이 도핑된 ZnTe/ZnSe 양자점을 개시한다. 이리하면, 상기 도핑 원소가 상기 양자점에 내재하는 Zn 공공들을 치환하고 따라서 이들 공공에 의한 광 여기 캐리어들의 포획이 효과적으로 방지되어 자발 소광 현상이 억제되고 밴드 갭에 생성된 불순물 준위로 인하여 불순물 준위 및 가전자대 간에, 또는 전도대 및 불순물 준위 간에 전이가 쉽게 일어나 광 방출이 크게 증진된다. 이
ZnTe 코어 양자점과 상기 ZnTe 코어 양자점을 둘러싼 ZnSe 쉘 양자점을 포함한 ZnTe/ZnSe 양자점에 있어서,갈륨 및 알루미늄 중의 하나 이상이 도핑된 ZnTe/ZnSe 양자점.
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