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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0180032 (2017-12-26) | |
공개번호 | 10-2019-0078220 (2019-07-04) | |
등록번호 | 10-2495512-0000 (2023-01-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170180032 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-12-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물은 인산 및 실리카를 포함한다.
인산 및 실리카를 포함하고, 상기 실리카의 평균 입경이 1 내지 40 nm인 것을 포함하며,상기 실리카는 구형이고, 단분산인 것을 포함하는 것인 실리콘 질화막 식각용 조성물.
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