초록 ▼

실리콘 웨이퍼의 마무리 연마에 있어서, LPD의 저감과 함께, 금속, 특히 니켈, 구리의 오염을 방지하여 연마하는 것을 목적으로 한다.지립, 수용성 고분자, 염기성 화합물, 킬레이트제 및 물을 함유하는 연마용 조성물이며, 상기 연마용 조성물 중에 존재하는 입자의 입도 분포에 있어서, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 10％에 상당하는 입경을 D10이라 하고, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 50％에 상당하는 입경을 D50이라 하고, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 90％에 상당하는 입경을 D90이라 할 때, A=(D9

실리콘 웨이퍼의 마무리 연마에 있어서, LPD의 저감과 함께, 금속, 특히 니켈, 구리의 오염을 방지하여 연마하는 것을 목적으로 한다.지립, 수용성 고분자, 염기성 화합물, 킬레이트제 및 물을 함유하는 연마용 조성물이며, 상기 연마용 조성물 중에 존재하는 입자의 입도 분포에 있어서, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 10％에 상당하는 입경을 D10이라 하고, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 50％에 상당하는 입경을 D50이라 하고, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 90％에 상당하는 입경을 D90이라 할 때, A=(D90-D50)/(D50-D10)으로 정의되는 조대 입자 빈도 파라미터 A의 값이 1.7 미만이고, 실리콘 웨이퍼 연마에 있어서의 마무리 연마에 사용되는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물의 제공.

대표청구항 ▼

지립, 수용성 고분자, 염기성 화합물, 킬레이트제 및 물을 함유하는 연마용 조성물이며,상기 킬레이트제의 함유량은 0.0001 내지 0.1 중량%이고,상기 연마용 조성물 중에 존재하는 입자의 입도 분포에 있어서, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 10％에 상당하는 입경을 D10이라 하고, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 50％에 상당하는 입경을 D50이라 하고, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 90％에 상당하는 입경을 D90이라 할 때, 하기 (식 1)로 정의되는 조대 입자 빈도 파라미터 A의 값이 1.5 미만이고,실리

지립, 수용성 고분자, 염기성 화합물, 킬레이트제 및 물을 함유하는 연마용 조성물이며,상기 킬레이트제의 함유량은 0.0001 내지 0.1 중량%이고,상기 연마용 조성물 중에 존재하는 입자의 입도 분포에 있어서, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 10％에 상당하는 입경을 D10이라 하고, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 50％에 상당하는 입경을 D50이라 하고, 입경이 작은 측으로부터의 체적 누적이 90％에 상당하는 입경을 D90이라 할 때, 하기 (식 1)로 정의되는 조대 입자 빈도 파라미터 A의 값이 1.5 미만이고,실리콘 웨이퍼 연마에 있어서의 마무리 연마에 사용되는 것을 특징으로 하는, 연마용 조성물.A=(D90-D50)/(D50-D10)(식 1)