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정전기 방지 양극산화피막처리 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C25D-011/04
  • C25D-011/08
  • C25D-011/26
  • C25D-011/30
출원번호 10-2018-0028103 (2018-03-09)
공개번호 10-2019-0106515 (2019-09-18)
DOI http://doi.org/10.8080/1020180028103
발명자 / 주소
  • 민병찬 / 서울특별시 서초구 동산로*길 *, ***호 (양재동, 파크사이드아파트)
출원인 / 주소
  • 민병찬 / 서울특별시 서초구 동산로*길 *, ***호 (양재동, 파크사이드아파트)
대리인 / 주소
  • 민동식
심사청구여부 있음 (2018-03-09)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 정전기 방지 양극산화피막처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 알루미늄, 마그네슘, 티타늄 등의 합금으로 이루어진 판재, 압출재, 주조재 등의 제품을 절단하고 가공하여 양극산화피막 처리(아노다이징, Anodizing)하여 표면 처리를 함에 있어서, 이를 이용하여 정전기 방지가 요구되는 전자 부품, 자동차 부품, 산업기계 부품, 반도체장비 부품 등에 대하여 추가적인 다른 코팅이나 도금 등과 같은 후처리 공정이 필요없으며 양극산화피막 처리만으로 정전기 방지 기능을 부여할 수 있음으로 인하여 공정의 단순화 및 제품의 경량

대표청구항

전해액 중에 금속을 양극으로 하여 전기화학적으로 금속의 표면에 산화피막을 형성하는 양극산화피막처리 방법에 있어서,상기 산화피막의 두께를 5㎛ 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 양극산화피막처리 방법.

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] METHOD FOR FORMING ANODIZATION FILM ON SURFACE OF ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY | MITANI MINORU
  2. [일본] METHOD FOR FORMING SURFACE OF ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY SUPPRESSING ELECTRIFICATION, AND ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY MEMBER SUPPRESSING ELECTRIFICATION | MAEDA HIROAKI, YASHIRO NOBUMITSU, BABA TOMOYUKI
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