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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0069664 (2018-06-18) | |
등록번호 | 10-1977886-0000 (2019-05-07) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180069664 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-06-18) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 패턴 형성을 위한 투과율을 증가 시킬 수 있는 수지의 첨가로 기존의 KrF 포지티브 포토레지스트 대비 수직한(Vertical) 프로파일을 나타내는 KrF 광원용 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 조성물 총 중량에 대하여, 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 화학식 1로 표시되는 투과율 증진 수지 첨가물 0.1 내지 10 중량%, 광산발생제 0.05 내지 10 중량%, 및 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 나머지는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성
248nm 파장의 광원으로 노광이 가능한 포토레지스트의 조성물은, 하기 화학식 1로 표시되는 투과율 증진 수지 첨가제를 전체 조성물 중 0.1 내지 10 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.[화학식 1]상기 a, b, c, d 는공중합체를 이루는 반복 단위의 몰비로 각각 1내지 9인 것을 특징으로 한다. 상기 구조에서, R1, R2, R3 는 메틸(R-CH3), 에틸(R-CH2CH3), 프로필(R-CH2CH2CH3), 부틸(R-CH2CH2CH2CH3) 및 이들의 조합으로
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