초록

본 발명은 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정 유기산 첨가물을 포함하여 종래 네가티브형 포토레지스트 대비 단파장 노광원에서 공정 마진을 개선하여, 반도체 공정에 적용하기에 적합한 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물을 개시한다.

대표청구항

하기 화학식 1로 표시되는 유기산 첨가물을 전체 조성물 중 0.1 내지 1 중량%로 포함하고, 전체 조성물 중 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 가교제 1 내지 10 중량%, 광산발생제 0.1 내지 10 중량%, 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 나머지는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물.[화학식 1]

하기 화학식 1로 표시되는 유기산 첨가물을 전체 조성물 중 0.1 내지 1 중량%로 포함하고, 전체 조성물 중 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 가교제 1 내지 10 중량%, 광산발생제 0.1 내지 10 중량%, 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 나머지는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물.[화학식 1]