초록 ▼

본 발명은 반도체 패턴 형성을 위한 투과율을 증가 시킬 수 있는 수지의 첨가로 기존의 KrF 포지티브 포토레지스트 대비 수직한(Vertical) 프로파일을 나타내는 KrF 광원용 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 조성물 총 중량에 대하여, 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 화학식 1로 표시되는 투과율 증진 수지 첨가물 0.1 내지 10 중량%, 광산발생제 0.05 내지 10 중량%, 및 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 나머지는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성

본 발명은 반도체 패턴 형성을 위한 투과율을 증가 시킬 수 있는 수지의 첨가로 기존의 KrF 포지티브 포토레지스트 대비 수직한(Vertical) 프로파일을 나타내는 KrF 광원용 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 조성물 총 중량에 대하여, 중합체 수지 5 내지 60 중량%, 화학식 1로 표시되는 투과율 증진 수지 첨가물 0.1 내지 10 중량%, 광산발생제 0.05 내지 10 중량%, 및 산확산방지제 0.01 내지 5 중량% 및 나머지는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물로서, 종래 포지티브형 포토레지스트 대비 수직한(Vertical) 프로파일 및 개선된 감도를 가지는 동시에 공정 마진이 우수한 조성물을 제공하는 효과를 갖는 것이다.

대표청구항 ▼

248nm 파장의 광원으로 노광이 가능한 포토레지스트의 조성물은, 하기 화학식 1로 표시되는 투과율 증진 수지 첨가제를 전체 조성물 중 0.1 내지 10 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.[화학식 1]상기 a, b, c, d 는공중합체를 이루는 반복 단위의 몰비로 각각 1내지 9인 것을 특징으로 한다. 상기 구조에서, R1, R2, R3 는 메틸(R-CH3), 에틸(R-CH2CH3), 프로필(R-CH2CH2CH3), 부틸(R-CH2CH2CH2CH3) 및 이들의 조합으로

248nm 파장의 광원으로 노광이 가능한 포토레지스트의 조성물은, 하기 화학식 1로 표시되는 투과율 증진 수지 첨가제를 전체 조성물 중 0.1 내지 10 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.[화학식 1]상기 a, b, c, d 는공중합체를 이루는 반복 단위의 몰비로 각각 1내지 9인 것을 특징으로 한다. 상기 구조에서, R1, R2, R3 는 메틸(R-CH3), 에틸(R-CH2CH3), 프로필(R-CH2CH2CH3), 부틸(R-CH2CH2CH2CH3) 및 이들의 조합으로 이루어진 구조 중에서 1종 이상 선택이 되는 구조로서, 각각 상이한 것이며, R은 결합부위를 표시하는 것이다.