초록 ▼

본 발명은 금속 배리어막 및 금속막을 식각하기 위한 식각 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 질산, 브롬산, 요오드산, 과염소산, 과브롬산, 과요오드산, 황산, 메탄설폰산, 파라톨루엔설폰산, 벤젠설폰산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 산화제; 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 금속 식각 억제제; 및 인산, 인산염, 탄소수 3 내지 20을 갖는 카르복시산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 금속 산화물 용해제를 포함한다.[화학식 1]R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, (C1-C10)알킬, (C3-C10)알

본 발명은 금속 배리어막 및 금속막을 식각하기 위한 식각 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 질산, 브롬산, 요오드산, 과염소산, 과브롬산, 과요오드산, 황산, 메탄설폰산, 파라톨루엔설폰산, 벤젠설폰산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 산화제; 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 금속 식각 억제제; 및 인산, 인산염, 탄소수 3 내지 20을 갖는 카르복시산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 금속 산화물 용해제를 포함한다.[화학식 1]R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, (C1-C10)알킬, (C3-C10)알케닐, (C3-C10)알키닐, (C1-C10)알콕시, 또는 카르복실이고, R3는 수소, 아미노, (C1-C10)알킬아미노, (C3-C10)아릴아미노, (C1-C10)알킬, (C3-C10)알케닐, (C3-C10)알키닐, (C1-C10)알콕시, 또는 카르복실이며, n은 1 이상의 정수임.

대표청구항 ▼

금속 배리어막 및 금속막을 식각하기 위한 식각 조성물로서, 상기 식각 조성물은:질산, 브롬산, 요오드산, 과염소산, 과브롬산, 과요오드산, 황산, 메탄설폰산, 파라톨루엔설폰산, 벤젠설폰산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 산화제;하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 금속 식각 억제제; 및인산, 인산염, 탄소수 3 내지 20을 갖는 카르복시산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 금속 산화물 용해제를 포함하되,[화학식 1]R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, (C1-C10)알킬, (C3-C10)알케닐, (C3-C10)알

금속 배리어막 및 금속막을 식각하기 위한 식각 조성물로서, 상기 식각 조성물은:질산, 브롬산, 요오드산, 과염소산, 과브롬산, 과요오드산, 황산, 메탄설폰산, 파라톨루엔설폰산, 벤젠설폰산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 산화제;하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 금속 식각 억제제; 및인산, 인산염, 탄소수 3 내지 20을 갖는 카르복시산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 금속 산화물 용해제를 포함하되,[화학식 1]R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, (C1-C10)알킬, (C3-C10)알케닐, (C3-C10)알키닐, 또는 (C1-C10)알콕시이고,R3는 수소, 아미노, (C1-C10)알킬아미노, (C3-C10)아릴아미노, (C1-C10)알킬, (C3-C10)알케닐, (C3-C10)알키닐, 또는 (C1-C10)알콕시이며,n은 1 이상의 정수이고,R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 비치환되거나 하이드록시로 치환된 것이며,상기 금속 배리어막의 식각 속도에 대한 상기 금속막의 식각 속도의 비는 1.0 내지 2.0인, 식각 조성물.