초록 ▼

단광자 애벌런치 다이오드(SPAD, single photon avalanche diode) 이미지 센서가 개시된다. SPAD 이미지 센서는, 전면(front surface)과 후면(back surface)을 갖고, 감지 영역을 포함하는 기판으로서, 상기 감지 영역은 제1 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되는 공통 노드를 포함하고, 상기 공통 노드는 상기 기판 내에서 상기 기판의 후면에 접하는 것인 상기 기판과, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 제2 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되며, 상기 기판 내에서 상기 기판의 전면에

단광자 애벌런치 다이오드(SPAD, single photon avalanche diode) 이미지 센서가 개시된다. SPAD 이미지 센서는, 전면(front surface)과 후면(back surface)을 갖고, 감지 영역을 포함하는 기판으로서, 상기 감지 영역은 제1 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되는 공통 노드를 포함하고, 상기 공통 노드는 상기 기판 내에서 상기 기판의 후면에 접하는 것인 상기 기판과, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 제2 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되며, 상기 기판 내에서 상기 기판의 전면에 접하는 감지 노드와, 상기 공통 노드와 상기 감지 노드 사이에서 상기 제1 전도성 타입의 도펀트로 도핑되는 제1 층을 포함한다.

대표청구항 ▼

단광자 애벌런치 다이오드(SPAD, single photon avalanche diode) 이미지 센서에 있어서,전면(front surface)과 후면(back surface)을 갖고, 감지 영역을 포함하는 기판을 포함하고, 상기 감지 영역은,제1 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되는 공통 노드 - 상기 공통 노드는 상기 기판 내에서 상기 기판의 후면에 접함 - 와, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 제2 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되며, 상기 기판 내에서 상기 기판의 전면에 접하는 감지 노드와, 상기 제1 전도성 타입의

단광자 애벌런치 다이오드(SPAD, single photon avalanche diode) 이미지 센서에 있어서,전면(front surface)과 후면(back surface)을 갖고, 감지 영역을 포함하는 기판을 포함하고, 상기 감지 영역은,제1 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되는 공통 노드 - 상기 공통 노드는 상기 기판 내에서 상기 기판의 후면에 접함 - 와, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 제2 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되며, 상기 기판 내에서 상기 기판의 전면에 접하는 감지 노드와, 상기 제1 전도성 타입의 도펀트로 도핑되는 제1 층 - 상기 제1 층은 상기 공통 노드에 접하되 상기 기판의 전면에 접하지 않음 - 과,상기 제2 전도성 타입의 도펀트로 도핑된 제2 층 - 상기 제2 층은 상기 기판의 전면에 접하되 상기 감지 노드를 덮고, 상기 제2 층은 상기 기판의 후면에 접하지 않음 - 과,상기 기판의 후면을 향해 상기 기판의 전면으로부터 연장되는 트렌치 격리부를 포함하고, 상기 기판의 전면은 상기 제1 전도성 타입의 도펀트를 포함하지 않고, 상기 제2 층은 상기 기판의 전면에서 상기 감지 노드와 상기 트렌치 격리부 사이의 갭을 완전히 충전하는 것인, SPAD 이미지 센서.