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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0132212 (2018-10-31) | |
공개번호 | 10-2019-0049598 (2019-05-09) | |
등록번호 | 10-2213406-0000 (2021-02-02) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/579,535 (2017-10-31);미국(US) 15/873,289 (2018-01-17) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180132212 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-10-31) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
단일 광자 애벌런치 다이오드(SPAD) 이미지 센서가 개시된다. SPAD 이미지 센서는, 전면과 후면을 갖는 제1 도전형의 기판과; 기판의 전면으로부터 후면을 향해 연장되고, 기판의 전면과 수평을 이루는 제1 표면 및 그 제1 표면의 반대편인 제2 표면을 갖는 깊은 트렌치 절연부(DTI)와; DTI의 측벽들과 제2 표면을 둘러싸는 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 에피택셜 층과; 기판의 전면으로부터 후면으로 연장되는 제1 도전형의 주입 영역을 포함한다. 단일 광자 애벌런치 다이오드(SPAD) 이미지 센서의 관련된 제조 방법이 또한
단일 광자 애벌런치 다이오드(single photon avalanche diode; SPAD) 이미지 센서에 있어서,전면 및 입사광을 수광하기 위한 후면을 갖는 제1 도전형의 기판;상기 기판의 전면 상의 층간 유전체(inter layer dielectric; ILD)층으로서, 복수의 금속층을 포함하는 상기 ILD층;상기 기판의 후면에 있는 렌즈;상기 기판의 전면으로부터 후면을 향해 연장되고, 제1 표면 및 상기 제1 표면의 반대편인 제2 표면을 가지며, 상기 제1 표면이 상기 기판의 전면과 수평을 이루는, 깊은 트렌치 절연부(dee
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