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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0113193 (2018-09-20) | |
공개번호 | 10-2019-0038353 (2019-04-08) | |
등록번호 | 10-2204728-0000 (2021-01-13) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/566,161 (2017-09-29);미국(US) 15/896,579 (2018-02-14) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180113193 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-09-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
단광자 애벌런치 다이오드(SPAD, single photon avalanche diode) 이미지 센서가 개시된다. SPAD 이미지 센서는, 전면(front surface)과 후면(back surface)을 갖고, 감지 영역을 포함하는 기판으로서, 상기 감지 영역은 제1 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되는 공통 노드를 포함하고, 상기 공통 노드는 상기 기판 내에서 상기 기판의 후면에 접하는 것인 상기 기판과, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 제2 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되며, 상기 기판 내에서 상기 기판의 전면에
단광자 애벌런치 다이오드(SPAD, single photon avalanche diode) 이미지 센서에 있어서,전면(front surface)과 후면(back surface)을 갖고, 감지 영역을 포함하는 기판을 포함하고, 상기 감지 영역은,제1 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되는 공통 노드 - 상기 공통 노드는 상기 기판 내에서 상기 기판의 후면에 접함 - 와, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 제2 전도성 타입의 도펀트로 고농도로 도핑되며, 상기 기판 내에서 상기 기판의 전면에 접하는 감지 노드와, 상기 제1 전도성 타입의
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