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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0136671 (2018-11-08) | |
등록번호 | 10-1965895-0000 (2019-03-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180136671 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-11-08) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
높은 체적 저항에 의해 누설 전류가 저감되어 반도체 웨이퍼의 흡착 및 탈착 응답 특성을 향상시킬 수 있는, 정전 척 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 정전 척은, 내부에 전극이 함침되어 정전기력에 의해 반도체 웨이퍼를 고정시키는 소결체로서, 알루미나; 소결조제; 및 2 내지 5 개의 서로 다른 희토류 금속을 포함하는 희토류 복합 산화물;을 포함하며, 반도체 웨이퍼의 흡착 및 탈착 응답 특성이 2초 이내이고, 상온에서의 체적 저항률이 1.0E + 16 내지 1.0E + 17 Ω·㎝인 것을 특징으로 한다.
내부에 전극이 함침되어 정전기력에 의해 반도체 웨이퍼를 고정시키는 소결체로서, 알루미나; 소결조제인 산화마그네슘; 및 2 내지 5 개의 서로 다른 희토류 금속을 포함하는 희토류 복합 산화물;을 포함하고,상기 희토류 복합 산화물의 함량은 상기 소결체 전체 중량에 대하여 0 초과 1 중량% 이하이며, 반도체 웨이퍼의 흡착 및 탈착 응답 특성이 2초 이내이고, 상온에서의 체적 저항률이 1.0E + 16 내지 1.0E + 17 Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 정전 척.
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