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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0140043 (2018-11-14) | |
공개번호 | 10-2020-0056113 (2020-05-22) | |
등록번호 | 10-2114717-0000 (2020-05-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180140043 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-11-14) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 SiC(silicon carbide) 인버터 장치에 관한 것으로, SiC 스위칭 모듈, 상기 SiC 스위칭 모듈의 상부에 배치되는 DC link 커패시터, 상기 SiC 스위칭 모듈의 측면에 배치되는 게이트 드라이버, 상기 SiC 스위칭 모듈과 상기 DC link 커패시터를 직접 연결하는 DC link 버스바 및 상기 게이트 드라이버를 상기 SiC 스위칭 모듈의 측면에 고정시키기 위한 고정 브라켓을 포함한다. 따라서, 본 발명은 스위칭 속도를 고속화하고 스위칭 손실을 최소화하는 SiC 인버터의 성능을 최대한 활용할 수 있는
SiC 스위칭 모듈;상기 SiC 스위칭 모듈의 상부에 배치되는 DC link 커패시터;상기 SiC 스위칭 모듈의 측면에 배치되는 게이트 드라이버;상기 SiC 스위칭 모듈과 상기 DC link 커패시터를 직접 연결하는 DC link 버스바;상기 게이트 드라이버를 상기 SiC 스위칭 모듈의 측면에 고정시키기 위한 고정 브라켓; 및상기 SiC 스위칭 모듈과 상기 DC link 커패시터 사이에 발생하는 기생 인덕턴스에 의한 스파이크 전압을 저감하기 위한 스너버 회로를 포함하되,상기 고정 브라켓은 상기 게이트 드라이버를 상기 SiC 스위칭
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