초록 ▼

본 발명의 일 실시예에 따르는 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED는, 기판; 상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층; 상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층; 상기 n-형 반도체층의 적어도 일부 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층; 상기 발광 구조체층 상에 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 p-형 반도체층; 및 상기 p-형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 p-형 전극층;을 포함하는 발광부와 액티브 매트릭스 방식으로 구동하는 구동 회로부를 포함하고, 상기 발광 구조체층은,

본 발명의 일 실시예에 따르는 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED는, 기판; 상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층; 상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층; 상기 n-형 반도체층의 적어도 일부 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층; 상기 발광 구조체층 상에 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 p-형 반도체층; 및 상기 p-형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 p-형 전극층;을 포함하는 발광부와 액티브 매트릭스 방식으로 구동하는 구동 회로부를 포함하고, 상기 발광 구조체층은, 각각 서로 다른 파장의 빛을 발하는 복수 개의 구분되는 영역들을 포함하고, 상기 구분되는 영역들 각각은 단일 또는 복수 개의 3차원 발광 구조체들을 포함하고, 액티브 매트릭스 방식으로 개별적으로 발광 여부의 제어가 가능한 것이다.

대표청구항 ▼

기판;상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층; 상기 n-형 반도체층의 적어도 일부 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층; 상기 발광 구조체층 상에 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 p-형 반도체층;상기 p-형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 p-형 전극층; 및상기 p-형 반도체층 및 상기 p-형 전극층 사이에 형성되고, 상기 p-형 반도체층 및 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 전류 분산층;을 포함하는 발광부와

기판;상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층; 상기 n-형 반도체층의 적어도 일부 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층; 상기 발광 구조체층 상에 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 p-형 반도체층;상기 p-형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 p-형 전극층; 및상기 p-형 반도체층 및 상기 p-형 전극층 사이에 형성되고, 상기 p-형 반도체층 및 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 전류 분산층;을 포함하는 발광부와 액티브 매트릭스 방식으로 구동하는 구동 회로부를 포함하고,상기 발광 구조체층은, 각각 서로 다른 파장의 빛을 발하는 복수 개의 구분되는 영역들을 포함하고, 상기 구분되는 영역들 각각은 단일 또는 복수 개의 3차원 발광 구조체들을 포함하고, 액티브 매트릭스 방식으로 서로 다른 파장의 빛의 발광 여부의 개별적 제어가 가능한 것이고,상기 p-형 반도체층의 두께는 0.2 ㎛ 내지 10 ㎛ 인 것이고,상기 구분되는 영역들 각각의 발광 구조체들은 높이가 서로 상이한 것이고, 상기 구분되는 영역들은 상기 발광 구조체의 높이가 높을수록, 발광 구조체 각각의 간격이 클수록 더 장파장의 빛을 발하는 것이고,상기 발광 구조체층은, In 및 Ga을 포함하는 활성층이 상부에 형성된 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED.