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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0145260 (2018-11-22) | |
공개번호 | 10-2019-0059253 (2019-05-30) | |
등록번호 | 10-2196071-0000 (2020-12-22) | |
우선권정보 | 미국(US) 15/904,915 (2018-02-26);미국(US) 62/589,894 (2017-11-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180145260 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-11-22) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
일부 실시예들에서, 본 발명개시는 SOI 기판을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 방법은 희생 기판 위에 실리콘 게르마늄(SiGe)층을 에피택셜 형성하고 SiGe층 상에 제1 활성층을 에피택셜 형성함으로써 수행될 수 있다.제1 활성층은 SiGe층과는 상이한 조성을 갖는다.희생 기판은 뒤집혀지고 제1 활성층은 제1 기판 위에 형성된 유전체층의 윗면에 접합된다.희생 기판과 SiGe층이 제거되고, 최외각 측벽들을 규정하고 유전체층의 윗면의 외부 가장자리를 노출시키도록 제1 활성층이 에칭된다.제1 활성층 상에 제2 활성층을 에피택셜 형성함으
SOI(silicon on insulator) 기판을 형성하는 방법에 있어서,희생 기판 위에 실리콘 게르마늄(SiGe)층을 에피택셜 형성하는 단계;상기 SiGe층 상에 제1 활성층을 에피택셜 형성하는 단계 - 상기 제1 활성층은 상기 SiGe층과는 상이한 조성을 가짐 -;상기 제1 활성층을 제1 기판 위에 형성된 유전체층에 접합시키는 단계;상기 희생 기판과 상기 SiGe층을 제거하는 단계;상기 유전체층의 윗면의 외부 가장자리를 노출시키도록 상기 제1 활성층을 에칭하는 단계; 및상기 제1 활성층 상에 제2 활성층을 에피택셜 형성함으로
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