초록 ▼

일부 실시예들에서, 본 발명개시는 SOI 기판을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 방법은 희생 기판 위에 실리콘 게르마늄(SiGe)층을 에피택셜 형성하고 SiGe층 상에 제1 활성층을 에피택셜 형성함으로써 수행될 수 있다.제1 활성층은 SiGe층과는 상이한 조성을 갖는다.희생 기판은 뒤집혀지고 제1 활성층은 제1 기판 위에 형성된 유전체층의 윗면에 접합된다.희생 기판과 SiGe층이 제거되고, 최외각 측벽들을 규정하고 유전체층의 윗면의 외부 가장자리를 노출시키도록 제1 활성층이 에칭된다.제1 활성층 상에 제2 활성층을 에피택셜 형성함으

일부 실시예들에서, 본 발명개시는 SOI 기판을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 방법은 희생 기판 위에 실리콘 게르마늄(SiGe)층을 에피택셜 형성하고 SiGe층 상에 제1 활성층을 에피택셜 형성함으로써 수행될 수 있다.제1 활성층은 SiGe층과는 상이한 조성을 갖는다.희생 기판은 뒤집혀지고 제1 활성층은 제1 기판 위에 형성된 유전체층의 윗면에 접합된다.희생 기판과 SiGe층이 제거되고, 최외각 측벽들을 규정하고 유전체층의 윗면의 외부 가장자리를 노출시키도록 제1 활성층이 에칭된다.제1 활성층 상에 제2 활성층을 에피택셜 형성함으로써 연이어진 활성층이 형성된다.제1 활성층과 제2 활성층은 실질적으로 동일한 조성을 갖는다.

대표청구항 ▼

SOI(silicon on insulator) 기판을 형성하는 방법에 있어서,희생 기판 위에 실리콘 게르마늄(SiGe)층을 에피택셜 형성하는 단계;상기 SiGe층 상에 제1 활성층을 에피택셜 형성하는 단계 - 상기 제1 활성층은 상기 SiGe층과는 상이한 조성을 가짐 -;상기 제1 활성층을 제1 기판 위에 형성된 유전체층에 접합시키는 단계;상기 희생 기판과 상기 SiGe층을 제거하는 단계;상기 유전체층의 윗면의 외부 가장자리를 노출시키도록 상기 제1 활성층을 에칭하는 단계; 및상기 제1 활성층 상에 제2 활성층을 에피택셜 형성함으로

SOI(silicon on insulator) 기판을 형성하는 방법에 있어서,희생 기판 위에 실리콘 게르마늄(SiGe)층을 에피택셜 형성하는 단계;상기 SiGe층 상에 제1 활성층을 에피택셜 형성하는 단계 - 상기 제1 활성층은 상기 SiGe층과는 상이한 조성을 가짐 -;상기 제1 활성층을 제1 기판 위에 형성된 유전체층에 접합시키는 단계;상기 희생 기판과 상기 SiGe층을 제거하는 단계;상기 유전체층의 윗면의 외부 가장자리를 노출시키도록 상기 제1 활성층을 에칭하는 단계; 및상기 제1 활성층 상에 제2 활성층을 에피택셜 형성함으로써 연이어진(contiguous) 활성층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 활성층과 상기 제2 활성층은 동일한 조성을 갖는 것인 SOI 기판을 형성하는 방법.