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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0169503 (2018-12-26) | |
공개번호 | 10-2020-0079860 (2020-07-06) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180169503 | |
발명자 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
막-전극 접합체의 제조 방법에 있어서, 적층 구조체를 형성하는 단계, 및 상기 적층 구조체를 건조 및 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.상기 적층 구조체를 형성하는 단계는, 이형 필름을 준비하는 단계; 상기 이형 필름의 일 표면에 제1 전극 슬러리를 코팅하여 애노드층을 형성하는 단계; 상기 애노드층의 표면에 다공성 지지체층을 적층하는 단계; 및 상기 다공성 지지체층의 표면에 제2 전극 슬러리를 코팅하여 캐소드층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
막-전극 접합체의 제조 방법으로서,적층 구조체를 형성하는 단계, 및상기 적층 구조체를 건조 및 열처리하는 단계를 포함하고,상기 적층 구조체를 형성하는 단계는,이형 필름을 준비하는 단계;상기 이형 필름의 일 표면에 제1 전극 슬러리를 코팅하여 애노드층을 형성하는 단계;상기 애노드층의 표면에 다공성 지지체층을 적층하는 단계; 및상기 다공성 지지체층의 표면에 제2 전극 슬러리를 코팅하여 캐소드층을 형성하는 단계;를 포함하는, 막-전극 접합체의 제조 방법.
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