초록 ▼

본 발명의 실시예에 따른 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 갖는 센서의 제조 방법은, 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 리프트 오프 공정을 이용하여 금속 마스크층을 형성하는 단계; 캐리어 가스를 흘리면서 상기 금속 마스크층 상에 제1 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제1 화합물 반도체층을 형성함과 함께, 상기 금속 마스크층 하부의 상기 버퍼층 내부에는 보이드를 형성하는 단계; 및 상기 채널생성층 상에 상기 제1 화합물 반도체에 비해 큰 밴드갭과 작은 격자상수를 갖는 제2 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제2 화합물 반

본 발명의 실시예에 따른 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 갖는 센서의 제조 방법은, 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 리프트 오프 공정을 이용하여 금속 마스크층을 형성하는 단계; 캐리어 가스를 흘리면서 상기 금속 마스크층 상에 제1 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제1 화합물 반도체층을 형성함과 함께, 상기 금속 마스크층 하부의 상기 버퍼층 내부에는 보이드를 형성하는 단계; 및 상기 채널생성층 상에 상기 제1 화합물 반도체에 비해 큰 밴드갭과 작은 격자상수를 갖는 제2 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제2 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 리프트 오프 공정을 이용하여 금속 마스크층을 형성하는 단계;캐리어 가스를 흘리면서 상기 금속 마스크층 상에 제1 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제1 화합물 반도체층을 형성함과 함께, 상기 금속 마스크층 하부의 상기 버퍼층 내부에는 보이드를 형성하는 단계; 및상기 제1 화합물 반도체층 상에 상기 제1 화합물 반도체에 비해 큰 밴드갭과 작은 격자상수를 갖는 제2 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제2 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 갖는 센서의

기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 리프트 오프 공정을 이용하여 금속 마스크층을 형성하는 단계;캐리어 가스를 흘리면서 상기 금속 마스크층 상에 제1 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제1 화합물 반도체층을 형성함과 함께, 상기 금속 마스크층 하부의 상기 버퍼층 내부에는 보이드를 형성하는 단계; 및상기 제1 화합물 반도체층 상에 상기 제1 화합물 반도체에 비해 큰 밴드갭과 작은 격자상수를 갖는 제2 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제2 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 갖는 센서의 제조 방법.