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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0171762 (2018-12-28) | |
공개번호 | 10-2020-0083714 (2020-07-09) | |
등록번호 | 10-2161445-0000 (2020-09-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180171762 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-12-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 실시예에 따른 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 갖는 센서의 제조 방법은, 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 리프트 오프 공정을 이용하여 금속 마스크층을 형성하는 단계; 캐리어 가스를 흘리면서 상기 금속 마스크층 상에 제1 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제1 화합물 반도체층을 형성함과 함께, 상기 금속 마스크층 하부의 상기 버퍼층 내부에는 보이드를 형성하는 단계; 및 상기 채널생성층 상에 상기 제1 화합물 반도체에 비해 큰 밴드갭과 작은 격자상수를 갖는 제2 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제2 화합물 반
기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 리프트 오프 공정을 이용하여 금속 마스크층을 형성하는 단계;캐리어 가스를 흘리면서 상기 금속 마스크층 상에 제1 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제1 화합물 반도체층을 형성함과 함께, 상기 금속 마스크층 하부의 상기 버퍼층 내부에는 보이드를 형성하는 단계; 및상기 제1 화합물 반도체층 상에 상기 제1 화합물 반도체에 비해 큰 밴드갭과 작은 격자상수를 갖는 제2 화합물 반도체를 성장시킴으로써 제2 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조를 갖는 센서의
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