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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-7023987 (2018-08-21) | |
공개번호 | 10-2018-0099893 (2018-09-05) | |
등록번호 | 10-2622286-0000 (2024-01-03) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/287,402 (2016-01-26);미국(US) 62/287,403 (2016-01-26) | |
국제출원번호 | PCT/US2017/014979 (2017-01-25) | |
국제공개번호 | WO 2017/132282 (2017-08-03) | |
번역문제출일자 | 2018-08-21 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020187023987 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-01-25) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 개시내용은 전류 에너지 저장 기술의 결점을 회피할 수 있는 슈퍼커패시터를 제공한다.이러한 슈퍼커패시터의 물질 및 제조 공정이 본원에 제공된다.일부 실시양태에서, 전기화학 시스템이 제1 전극, 제2 전극을 포함하며, 여기서 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 1개는 3차원 다공성 환원 그래핀 옥시드 프레임워크를 포함한다.
a) 구멍이 많은 그래핀 시트의 상호연결된 전도성 네트워크로서, 구멍이 많은 그래핀 시트 내에 나노포어가 형성된 것인 상호연결된 전도성 네트워크; 및b) 황 입자를 포함하는 용량성 또는 슈도-용량성 물질로서, 황 입자는 구멍이 많은 그래핀 시트의 상호연결된 전도성 네트워크 내에 캡슐화되고, 캡슐화는 폴리술피드 왕복을 억제하는 것인 용량성 또는 슈도-용량성 물질을 포함하는, 구멍이 많은 3D 그래핀 프레임워크를 포함하는 전극이며,전극의 총 중량 또는 질량의 적어도 60 중량% 또는 질량%의 황 함량을 갖는 전극.
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