최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2019-0011855 (2019-01-30) | |
공개번호 | 10-2020-0066122 (2020-06-09) | |
등록번호 | 10-2157137-0000 (2020-09-11) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020180152678 (2018-11-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190011855 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2019-01-30) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 기상 증착을 통하여 박막 증착이 가능한 기상 증착 화합물에 관한 것으로서, 구체적으로는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 또는 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)에 적용가능하고, 특히 고온 증착이 가능한 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법에 관한 것이다.
하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물을 포함하는 기상 증착 전구체를 챔버에 도입하는 단계; 및 600℃ 이상의 공정온도로 증착하는 단계;를 포함하는, 박막의 제조방법.[화학식 1] SiR1a(NR2R3)(4-a)상기 화학식 1에서, a는 1 내지 3의 정수이고, R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 선형 또는 분지형 탄화수소 또는 이들의 이성질체이며,R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 선형 또는 분지형 탄화수
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.