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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0017879 (2019-02-15) | |
등록번호 | 10-2125386-0000 (2020-06-16) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190017879 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-02-15) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 전력 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, GaN 채널층, 상기 GaN 채널층 상에 위치하여 이차원 전자 가스 채널을 형성하는 배리어층, 상기 배리어층의 상부에 위치하는 게이트를 포함하는 전력 반도체 소자에 있어서, 상기 게이트는 다중 이종접합 구조인 것으로 한다.
GaN 채널층, 상기 GaN 채널층 상에 위치하여 이차원 전자 가스 채널을 형성하는 배리어층, 상기 배리어층의 상부에 위치하는 게이트를 포함하는 전력 반도체 소자에 있어서,상기 게이트는 n형 이온으로 도핑된 AlN층과 p-GaN 접합층이 다중 적층된 다중 이종접합 구조이며,상기 p-GaN 접합층들 중 하부에 위치하는 p-GaN 접합층은 상부의 p-GaN 접합층에 비하여 측면이 드레인측으로 돌출된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자.
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