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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0138669 (2021-10-18) | |
공개번호 | 10-2023-0055221 (2023-04-25) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210138669 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-10-18) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명은 GaN RF HEMT 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 응력 감소 기판(10)과, 제1절연막(22)에 의해 일부가 노출되는 상기 응력 감소 기판(10)의 상부 일부에 상호 소정 간격 이격되어 배치되는 오믹 금속막(21)과, 상기 제1절연막(22) 및 오믹 금속막(21)의 상부에 배치되는 제2절연막(25)에 형성된 윈도우를 통해 상기 응력 감소 기판(10)에 접하는 게이트 금속(26)과, 상기 게이트 금속의 측면측으로 이격되어 배치되는 소스 필드 플레이트(27)와, 상기 소스 필드 플레이트(27)에 접하고, 상기 게이트
응력 감소 기판(10);제1절연막(22)에 의해 일부가 노출되는 상기 응력 감소 기판(10)의 상부 일부에 상호 소정 간격 이격되어 배치되는 오믹 금속막(21);상기 제1절연막(22) 및 오믹 금속막(21)의 상부에 배치되는 제2절연막(25)에 형성된 윈도우를 통해 상기 응력 감소 기판(10)에 접하는 게이트 금속(26);상기 게이트 금속의 측면측으로 이격되어 배치되는 소스 필드 플레이트(27);상기 소스 필드 플레이트(27)에 접하고, 상기 게이트 금속(26)과는 절연된 상태로 소스측 오믹 금속막(21)의 상부측으로 연장되는 연결
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