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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0020052 (2019-02-20) | |
공개번호 | 10-2020-0019553 (2020-02-24) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020180094970 (2018-08-14) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190020052 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
반도체 장치는, 기판 상에 배치되는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 배치되며, 테트라고날 결정상을 갖는 하프늄 산화물을 포함하는 유전층 구조물; 상기 유전층 구조물 상에 배치되며, 니오븀 산화물(NbOx, 0.5 ≤ x ≤ 2.5)을 포함하는 템플릿층; 및 상기 템플릿층 상에 순차적으로 배치되는 제1 상부 전극과 제2 상부 전극을 포함하는 상부 전극 구조물을 포함한다.
기판 상에 배치되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치되며, 테트라고날 결정상을 갖는 하프늄 산화물을 포함하는 유전층 구조물; 상기 유전층 구조물 상에 배치되며, 니오븀 산화물(NbOx, 0.5 ≤ x ≤ 2.5)을 포함하는 템플릿층; 및상기 템플릿층 상에 순차적으로 배치되는 제1 상부 전극과 제2 상부 전극을 포함하는 상부 전극 구조물을 포함하는 반도체 장치.
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