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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0021935 (2019-02-25) | |
공개번호 | 10-2020-0103434 (2020-09-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190021935 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-02-25) | |
심사진행상태 | 거절결정(재심사) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 레이저 마킹 및 드릴을 이용하여 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공하는 방법에 관한 것으로, 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)로 이루어진 에칭플레이트(etching plate)를 준비하는 단계; 상기 에칭플레이트(etching plate)에 레이저를 이용하여 마킹하는 단계; 및 마킹된 위치에 미세 홀을 형성하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 의하면 초음파 진동을 사용하지 않고도 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공할 수 있어 크랙을 방지할 수 있으며, 미세 홀 가공
화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공하는 방법에 있어서,화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)로 이루어진 에칭플레이트(100)를 준비하는 단계;상기 에칭플레이트(100)에 레이저(L)를 이용하여 마킹하는 단계; 및마킹된 위치에 미세 홀(110)을 형성하는 단계;를 포함하는 미세 홀 가공 방법.
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