초록 ▼

본 발명은 레이저 마킹 및 드릴을 이용하여 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공하는 방법에 관한 것으로, 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)로 이루어진 에칭플레이트(etching plate)를 준비하는 단계; 상기 에칭플레이트(etching plate)에 레이저를 이용하여 마킹하는 단계; 및 마킹된 위치에 미세 홀을 형성하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 의하면 초음파 진동을 사용하지 않고도 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공할 수 있어 크랙을 방지할 수 있으며, 미세 홀 가공

본 발명은 레이저 마킹 및 드릴을 이용하여 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공하는 방법에 관한 것으로, 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)로 이루어진 에칭플레이트(etching plate)를 준비하는 단계; 상기 에칭플레이트(etching plate)에 레이저를 이용하여 마킹하는 단계; 및 마킹된 위치에 미세 홀을 형성하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 의하면 초음파 진동을 사용하지 않고도 화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공할 수 있어 크랙을 방지할 수 있으며, 미세 홀 가공 시 칩 배출이 향상되고 가공 부하를 최소화 하여 가공 안정성과 가공 품위를 확보할 수 있다.

대표청구항

화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공하는 방법에 있어서,화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)로 이루어진 에칭플레이트(100)를 준비하는 단계;상기 에칭플레이트(100)에 레이저(L)를 이용하여 마킹하는 단계; 및마킹된 위치에 미세 홀(110)을 형성하는 단계;를 포함하는 미세 홀 가공 방법.

화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)에 미세 홀을 가공하는 방법에 있어서,화학기상증착 실리콘카바이드(CVD-SiC)로 이루어진 에칭플레이트(100)를 준비하는 단계;상기 에칭플레이트(100)에 레이저(L)를 이용하여 마킹하는 단계; 및마킹된 위치에 미세 홀(110)을 형성하는 단계;를 포함하는 미세 홀 가공 방법.