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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0024836 (2019-03-04) | |
등록번호 | 10-2082922-0000 (2020-02-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190024836 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-03-04) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본원 발명은 CMP용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연마재인 콜로이달실리카의 제타 전위(Zeta potential)와 금속 불순물을 제거하여 실리콘산화막의 연마 성능 향상과 스크래치 불량을 최소화시키고 첨가제 및 연마재의 함량 조절을 통해 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 폴리실리콘막에 대한 선택비를 자유롭게 조절하여 연마할 수 있기 때문에 실리콘산화막 단차 제거용 반도체 공정과 실리콘질화막에 대하여 실리콘산화막 및 폴리실리콘막의 선택적인 제거가 요구되는 반도체 제조 공정에 유용하게 적용될 수
실리콘질화막에 대한 실리콘산화막 또는 폴리실리콘막의 선택비를 조절하여 연마할 수 있도록, 콜로이달실리카로 이루어진 연마재 0.2 내지 10 중량%;5-메틸벤조트리아졸 또는 폴리에틸렌글리콜로 이루어진 첨가제 0.001 내지 7 중량%; 및 잔량의 용매로 구성되는 CMP용 슬러리 조성물에 있어서,상기 콜로이달실리카의 제타 전위(Zeta potential)가 +15 내지 +50mV이고,상기 콜로이달실리카의 입자 크기는 30 내지 80nm이고,상기 첨가제는 폴리에틸렌글리콜 : 5-메틸벤조트리아졸의 비율이 0.2 ~ 1.4 : 0.025 ~
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