초록

본 발명은 CMP용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 첨가제 및 용매의 함량 조절을 통해 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 폴리실리콘막에 대한 선택비를 자유롭게 조절하여 연마할 수 있기 때문에 실리콘산화막에 대하여 실리콘질화막 및 폴리실리콘막의 선택적인 제거가 요구되는 반도체 제조 공정에 유용하게 적용될 수 있는 CMP용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법을 제공하는 것이다.

대표청구항 ▼

실리콘산화막, 실리콘질화막 및 폴리실리콘막에 대한 선택비를 조절하여 연마할 수 있도록,콜로이달실리카로 이루어진 연마재 0.2 내지 10 중량%;A: 글루타르산 및 5-메틸벤조트리아졸을 포함하며, B: 폴리에틸렌글리콜을 선택적으로 포함하는 첨가제 0.001 내지 7 중량%; 및나머지는 용매를 포함하되,상기 첨가제는 폴리에틸렌글리콜, 5-메틸벤조트리아졸 및 글루타르산의 비율이 0 ~ 5.0 : 0 ~ 5.0 : 0 ~ 5.0이고, 상기 글루타르산 및 5-메틸벤조트리아졸은 각각 0을 초과하는 비율이며,상기 연마는 실리콘산화막, 실리콘질화

실리콘산화막, 실리콘질화막 및 폴리실리콘막에 대한 선택비를 조절하여 연마할 수 있도록,콜로이달실리카로 이루어진 연마재 0.2 내지 10 중량%;A: 글루타르산 및 5-메틸벤조트리아졸을 포함하며, B: 폴리에틸렌글리콜을 선택적으로 포함하는 첨가제 0.001 내지 7 중량%; 및나머지는 용매를 포함하되,상기 첨가제는 폴리에틸렌글리콜, 5-메틸벤조트리아졸 및 글루타르산의 비율이 0 ~ 5.0 : 0 ~ 5.0 : 0 ~ 5.0이고, 상기 글루타르산 및 5-메틸벤조트리아졸은 각각 0을 초과하는 비율이며,상기 연마는 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 폴리실리콘막의 연마 선택비가 1:10~20:1~22.2인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.