초록 ▼

반도체 테스트 시스템에 관한 기술이다. 본 실시예에 따른 반도체 테스트 시스템은 ATE(Automatic Test Equipment) 및 상기 ATE의 입출력 채널을 통해 테스트 신호 및 제어 명령을 입력 받아, 복수의 DUT(Device under test)에 상기 테스트 신호를 제공하는 전압 변환 IC를 포함한다.상기 전압 변환 IC는 상기 제어 명령을 기초로 하여 복수의 제어 신호를 생성하는 제어 회로 블록, 및 상기 복수의 제어 신호에 응답하여 구동되는 복수의 전압 변환부를 포함한다.상기 복수의 전압 변환부 각각은 상기 복수

반도체 테스트 시스템에 관한 기술이다. 본 실시예에 따른 반도체 테스트 시스템은 ATE(Automatic Test Equipment) 및 상기 ATE의 입출력 채널을 통해 테스트 신호 및 제어 명령을 입력 받아, 복수의 DUT(Device under test)에 상기 테스트 신호를 제공하는 전압 변환 IC를 포함한다.상기 전압 변환 IC는 상기 제어 명령을 기초로 하여 복수의 제어 신호를 생성하는 제어 회로 블록, 및 상기 복수의 제어 신호에 응답하여 구동되는 복수의 전압 변환부를 포함한다.상기 복수의 전압 변환부 각각은 상기 복수의 제어 신호에 응답하여, 상기 ATE의 테스트 신호를 대응하는 상기 DUT의 테스트 패드로 바이패스시키거나 또는 레벨 쉬프팅시켜 제공하고, 상기 대응하는 DUT의 테스트 패드로부터 검출된 테스트 결과를 상기 ATE의 입출력 채널로 바이패스시키거나 레벨 쉬프팅시켜 제공하도록 구성된다.

대표청구항 ▼

ATE(Automatic Test Equipment); 및상기 ATE의 입출력 채널을 통해 테스트 신호 및 제어 명령을 입력 받아, 복수의 DUT(Device under test)에 상기 테스트 신호를 제공하는 전압 변환 IC를 포함하고, 상기 전압 변환 IC는 상기 제어 명령을 기초로 하여 복수의 제어 신호를 생성하는 제어 회로 블록, 및 상기 복수의 제어 신호에 응답하여 구동되는 복수의 전압 변환부를 포함하고,상기 복수의 전압 변환부 각각은, 상기 복수의 제어 신호에 응답하여, 상기 ATE의 상기 테스트 신호를 대응하는 상기 D

ATE(Automatic Test Equipment); 및상기 ATE의 입출력 채널을 통해 테스트 신호 및 제어 명령을 입력 받아, 복수의 DUT(Device under test)에 상기 테스트 신호를 제공하는 전압 변환 IC를 포함하고, 상기 전압 변환 IC는 상기 제어 명령을 기초로 하여 복수의 제어 신호를 생성하는 제어 회로 블록, 및 상기 복수의 제어 신호에 응답하여 구동되는 복수의 전압 변환부를 포함하고,상기 복수의 전압 변환부 각각은, 상기 복수의 제어 신호에 응답하여, 상기 ATE의 상기 테스트 신호를 대응하는 상기 DUT의 테스트 패드로 혹은 상기 대응하는 DUT의 상기 테스트 패드로부터 검출된 테스트 결과를 상기 ATE의 상기 입출력 채널로 레벨쉬프트시키는 전달부; 및 상기 ATE의 상기 테스트 신호를 상기 대응하는 DUT의 상기 테스트 패드로, 혹은 상기 대응되는 DUT의 상기 테스트 패드의 테스트 결과를 상기 ATE로 바이패스시키는 스위칭부를 포함하고, 상기 스위칭부는, 상기 ATE와 상기 DUT의 상기 테스트 패드 사이에 연결되고, 상기 전달부와 다른 인에이블 구간에서, 상기 테스트 신호 또는 상기 테스트 결과를 바이패스시키는 메인 스위치; 및상기 ATE의 구동 전압 터미널과 상기 메인 스위치의 입력 터미널 사이 및 상기 메인 스위치의 상기 입력 터미널과 그라운드 터미널 사이에 선택적으로 연결되는 제 1 풀업 저항 및 제 1 풀다운 저항을 포함하는 반도체 테스트 시스템.