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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0047811 (2019-04-24) | |
공개번호 | 10-2020-0124465 (2020-11-03) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190047811 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 식각 조성물 및 이를 이용하는 식각방법을 제공하는 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은 질화 금속막을 선택적으로 식각하는 식각 조성물, 이를 이용하는 질화 금속막의 식각방법 및 이를 이용하여 수행하는 공정을 포함하는 미세전자 소자의 제조방법을 제공한다.
황산, 과산화수소, 하기 화학식 1로 표시되는 유기 과산화물 및 물을 포함하는 식각 조성물로,상기 유기 과산화물은 상기 식각 조성물 총중량에 대하여 0.001 내지 3중량%를 포함하는 식각 조성물.[화학식 1](상기 화학식 1에서 R은 수소, C1-C3의 알킬 또는 C6-C12의 아릴이다.)
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