초록

본 발명은 실리콘 질화막 식각 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로 인산 및 실리콘 화합물과 고리형 메타인산 화합물의 반응생성물을 포함함으로써 실리콘 질화막을 실리콘 산화막 대비 높은 선택비로 식각할 수 있으며, 소자 특성에 악영향을 미치는 파티클 발생 등의 문제점을 갖지 않는 고선택비의 실리콘 질화막용 식각 조성물, 이를 이용한 실리콘 질화막의 식각 방법 및 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

인산; 및하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물과 화학식 2로 표시되는 고리형 메타인산 화합물의 반응생성물을 포함하는, 실리콘 질화막 식각 조성물:[화학식 1](상기 화학식 1에서, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 C1-C20알콕시, 할로겐 또는 하이드록시이고, 나머지는 각각 독립적으로 수소, C1-C20알킬, C1-C20알콕시, 할로겐, 하이드록시, C2-C20알케닐, 아미노C1-C20알킬이거나, 설포네이트, 설페이트 또는 포스페이트를 포함하는 1가의 치환체이고;L은 C1-C20알킬렌이고, 상기 알킬렌의 -CH2-는 -O-,

인산; 및하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물과 화학식 2로 표시되는 고리형 메타인산 화합물의 반응생성물을 포함하는, 실리콘 질화막 식각 조성물:[화학식 1](상기 화학식 1에서, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 C1-C20알콕시, 할로겐 또는 하이드록시이고, 나머지는 각각 독립적으로 수소, C1-C20알킬, C1-C20알콕시, 할로겐, 하이드록시, C2-C20알케닐, 아미노C1-C20알킬이거나, 설포네이트, 설페이트 또는 포스페이트를 포함하는 1가의 치환체이고;L은 C1-C20알킬렌이고, 상기 알킬렌의 -CH2-는 -O-, -S- 또는 -NR'-로 대체될 수 있고;R'는 수소 또는 C1-C20알킬이고;a는 0 내지 10의 정수이고;b는 0 내지 4의 정수이다.)[화학식 2](상기 화학식 2에서, m은 1 내지 8의 정수이다.)