초록 ▼

본 발명은 기계적으로 유연하고 자가 정류 특성이 우수하며, 생물학적 시냅스(Synapse)를 모방할 수 있는 기초가 되는 동적 메모리 효과를 제공하는 유연성 자가 정류 분자 멤리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유연성 자가 정류 분자 멤리스터는 기판과 상기 기판 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 또한, 상기 하부 전극 상에는 이온 전도성을 갖는 일함수 변환 물질로 이루어지는 고분자 중간층이 형성되고, 상기 고분자 중간층 상에는 유기 반도체가 형성된다. 상기 유기 반도체 상에는 상부 전극이 형성되며, 상기 하부

본 발명은 기계적으로 유연하고 자가 정류 특성이 우수하며, 생물학적 시냅스(Synapse)를 모방할 수 있는 기초가 되는 동적 메모리 효과를 제공하는 유연성 자가 정류 분자 멤리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유연성 자가 정류 분자 멤리스터는 기판과 상기 기판 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 또한, 상기 하부 전극 상에는 이온 전도성을 갖는 일함수 변환 물질로 이루어지는 고분자 중간층이 형성되고, 상기 고분자 중간층 상에는 유기 반도체가 형성된다. 상기 유기 반도체 상에는 상부 전극이 형성되며, 상기 하부 전극에는 전원의 음극이 연결되고, 상기 상부 전극에는 전원의 양극이 연결된다.

대표청구항 ▼

기판;상기 기판상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 적층되고, 아민기의 표면 쌍극자(Surface dipole)를 이용하여 하부 전극의 일 함수를 낮추며 이온 전도성을 갖는 PEIE(Polyethylenimine ethoxylated)로 이루어지는 고분자 중간층;상기 고분자 중간층 상에 형성되고, DNTT(Dinaphtho thieno thiophene)로 이루어지는 유기 반도체; 및상기 유기 반도체 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하고,상기 상부 전극에 전압을 인가하여 전압 스윕(voltage sweep)이 반복됨에 따라

기판;상기 기판상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 적층되고, 아민기의 표면 쌍극자(Surface dipole)를 이용하여 하부 전극의 일 함수를 낮추며 이온 전도성을 갖는 PEIE(Polyethylenimine ethoxylated)로 이루어지는 고분자 중간층;상기 고분자 중간층 상에 형성되고, DNTT(Dinaphtho thieno thiophene)로 이루어지는 유기 반도체; 및상기 유기 반도체 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하고,상기 상부 전극에 전압을 인가하여 전압 스윕(voltage sweep)이 반복됨에 따라 순방향 바이어스 전류가 점차 감소하면서 히스테리시스(hysteresis)가 반복적으로 나타나는 것을 특징으로 하는 유연성 자가 정류 분자 멤리스터.