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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0063340 (2019-05-29) | |
공개번호 | 10-2020-0137271 (2020-12-09) | |
등록번호 | 10-2198574-0000 (2020-12-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190063340 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-05-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 기계적으로 유연하고 자가 정류 특성이 우수하며, 생물학적 시냅스(Synapse)를 모방할 수 있는 기초가 되는 동적 메모리 효과를 제공하는 유연성 자가 정류 분자 멤리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유연성 자가 정류 분자 멤리스터는 기판과 상기 기판 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 또한, 상기 하부 전극 상에는 이온 전도성을 갖는 일함수 변환 물질로 이루어지는 고분자 중간층이 형성되고, 상기 고분자 중간층 상에는 유기 반도체가 형성된다. 상기 유기 반도체 상에는 상부 전극이 형성되며, 상기 하부
기판;상기 기판상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 적층되고, 아민기의 표면 쌍극자(Surface dipole)를 이용하여 하부 전극의 일 함수를 낮추며 이온 전도성을 갖는 PEIE(Polyethylenimine ethoxylated)로 이루어지는 고분자 중간층;상기 고분자 중간층 상에 형성되고, DNTT(Dinaphtho thieno thiophene)로 이루어지는 유기 반도체; 및상기 유기 반도체 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하고,상기 상부 전극에 전압을 인가하여 전압 스윕(voltage sweep)이 반복됨에 따라
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