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연합인증

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고밀도 MIM 커패시터 구조물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-049/02
  • H01L-021/311
  • H01L-021/3213
  • H01L-021/768
  • H01L-025/18
출원번호 10-2019-0076430 (2019-06-26)
공개번호 10-2020-0050335 (2020-05-11)
등록번호 10-2254859-0000 (2021-05-17)
우선권정보 미국(US) 16/365,904 (2019-03-27);미국(US) 62/752,628 (2018-10-30)
DOI http://doi.org/10.8080/1020190076430
발명자 / 주소
  • 다카하시 세이지 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
  • 리아오 킹 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
  • 린 중이 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
  • 홍 선후에이 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
  • 시 쥐지 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
  • 황 이민 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
  • 왕 천종 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
  • 양 둔니안 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
  • 칼니츠키 알렉산더 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
출원인 / 주소
  • 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 / 중화민국, 타이완, 신추, 신추 사이언스 파크, 리-신 로드 *, 넘버 *
대리인 / 주소
  • 김태홍; 김진회
심사청구여부 있음 (2019-06-26)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

일부 실시예들에서, 본 발명개시는 집적 칩에 관한 것이다.집적 칩은 기판 위에 배치된 유전체 구조물을 포함한다.복수의 도전성 상호연결층들이 유전체 구조물 내에 배치된다.복수의 도전성 상호연결층들은 상호연결 와이어들과 상호연결 비아들의 교호층들을 포함한다.금속 절연 금속(MIM) 커패시터가 또한 유전체 구조물 내에 배열된다.MIM 커패시터는 커패시터 유전체 구조물에 의해 상부 도전성 전극으로부터 분리된 하부 도전성 전극을 갖는다.MIM 커패시터는 복수의 도전성 상호연결층들 중의 두 개 이상의 도전성 상호연결층을 지나 수직으로 연장된다

대표청구항

집적 칩에 있어서,기판 위에 배치된 유전체 구조물;상기 유전체 구조물 내에 배치된 복수의 도전성 상호연결층들 - 상기 복수의 도전성 상호연결층들은 상호연결 와이어들과 상호연결 비아들의 교호층들을 포함함 -; 및상기 유전체 구조물 내에 배열되고, 커패시터 유전체 구조물에 의해 상부 도전성 전극으로부터 분리된 하부 도전성 전극을 포함하는 금속 절연 금속(metal-insulating-metal; MIM) 커패시터를 포함하며,상기 MIM 커패시터는 상기 복수의 도전성 상호연결층들 중의 두 개 이상의 도전성 상호연결층을 지나 수직으로 연장

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [한국] 반도체소자의 제조방법 | 박원규
  2. [한국] 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 | 히지오까 겐이찌로, 구메 이뻬이, 이노우에 나오야, 시라이 히로끼, 가와하라 준, 하야시 요시히로
  3. [한국] 동일한 유전체층에 통합된 커패시터와 금속 배선을 갖는 반도체 구조물 | 린더트, 닉
  4. [한국] 임베디드 동적 랜덤 액세스 메모리(EDRAM)를 위한 통합된 2중-벽 커패시터를 갖는 반도체 구조물 및 이를 형성하는 방법 | 도일, 브라이언 에스., 쿠오, 찰스 씨., 린더트, 닉, 샤, 우다이, 수리, 사티야스, 차우, 로버트 에스.
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