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MIM 구조 커패시터 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-027/108
출원번호 10-2007-0136748 (2007-12-24)
공개번호 10-2009-0068936 (2009-06-29)
등록번호 10-0955834-0000 (2010-04-26)
DOI http://doi.org/10.8080/1020070136748
발명자 / 주소
  • 양택승 / 경기 여주군 가남면 신해리 현진아파트 ***동 ****호
  • 이강현 / 경기 용인시 기흥구 언남동 동일하이빌 ***-***
출원인 / 주소
  • 주식회사 동부하이텍 / 서울특별시 강남구 대치동 ***-**
대리인 / 주소
  • 김원준; 장성구
심사청구여부 있음 (2007-12-24)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 MIM 구조 커패시터 제조방법에 관한 것으로서, MIM 구조 커패시터를 위해 하부 전극 금속층 상에 절연층인 나이트라이드막과 상부 전극 금속층인 티타늄/질화 티타늄(Ti/TiN)을 차례로 증착시키는 단계와, 상부 전극 금속층 상에 포토레지스트를 도포하고, 포토레지스트층을 패터닝하는 단계와, 패터닝된 포토레지스트층을 식각 마스크로 하여 상부 금속 전극층인 티타늄/질화 티타늄(Ti/TiN)과 나이트라이드막을 선택적으로 식각하는 단계와, MIM 구조 커패시터의 측벽에 잔존하는 나이트라이드를 습식 세정 공정을 통하여 제거하는 단

대표청구항

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