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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0077051 (2019-06-27) | |
공개번호 | 10-2021-0001244 (2021-01-06) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190077051 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-06-27) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 인듐함유 공정스크랩의 일종인 구리칩(Cu-chip)으로부터 인듐을 회수하는 단계; 회수된 인듐을 양극으로하여 전기분해하여 인듐의 순도를 고도화하는 1차 고도화 단계; 및 1차 고도화된 인듐을 일방향응고 공정에 의하여 인듐의 순도를 고도화하는 2차 고도화 단계를 포함하는 인듐 회수 및 고도화 방법을 제공한다. 상기 방법에 따르면 인듐의 회수율이 매우 높고, 6N급으로 고순도화된 인듐을 용이하게 확보할 수 있다.
인듐함유 공정스크랩의 일종인 구리칩(Cu-chip)으로부터 인듐을 회수하는 단계;회수된 인듐을 양극으로하여 전기분해하여 인듐의 순도를 고도화하는 1차 고도화 단계; 및1차 고도화된 인듐을 일방향응고 공정에 의하여 인듐의 순도를 고도화하는 2차 고도화 단계를 포함하는 인듐 회수 및 고도화 방법.
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