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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0103581 (2019-08-23) | |
공개번호 | 10-2021-0023414 (2021-03-04) | |
등록번호 | 10-2331471-0000 (2021-11-23) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190103581 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-08-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 고전력 소자를 구비하는 고전력 반도체 소자는, 기판상에 형성된 하부 도전 패턴; 상기 하부 도전 패턴에 형성된 캐패시터 물질; 및 상기 캐패시터 물질상에 형성되는 상부 도전 패턴을 포함한다. 상기 하부 도전 패턴, 상기 캐패시터 물질 및 상기 상부 도전 패턴은 상기 고전력 소자의 기생 캐패시턴스 감소용 조향 캐패시터를 구성한다. 상기 상하부 도전 패턴은 상기 고전력 소자의 게이트 패드 및 게이트 전극으로 작용하며, 상기 조향 캐패시터는 상기 고전력 소자의 게이트 전극과 직렬로 연결된다.
고전력 소자를 구비하는 고전력 반도체 소자에 있어서,기판상에 형성된 하부 도전 패턴;상기 하부 도전 패턴에 형성된 캐패시터 물질; 및상기 캐패시터 물질상에 형성되는 상부 도전 패턴을 포함하되,상기 하부 도전 패턴, 상기 캐패시터 물질 및 상기 상부 도전 패턴은 상기 고전력 소자의 기생 캐패시턴스 감소용 조향 캐패시터를 구성하되,상기 조향 캐패시터는 상기 고전력 소자의 게이트 전극에 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 고전력 반도체 소자.
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