초록

본 발명은 실리콘 질화막 식각 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로 폴리규소 화합물을 식각 조성물에 포함함으로써 실리콘 질화막을 실리콘 산화막 대비 높은 선택비로 식각할 수 있는 실리콘 질화막용 식각 조성물, 이를 이용한 실리콘 질화막의 식각 방법 및 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

인산, 하기 화학식1로 표시되는 단위구조를 포함하는 규소 화합물 및 잔량의 물을 포함하는, 실리콘 질화막 식각 조성물로서,상기 실리콘 질화막 식각 조성물의 실리콘 질화막/산화막 식각 선택비(ESiNx /ESiO2)는 300 이상이고, 동일한 실리콘 질화막 식각 조성물을 이용하는 반복적인 식각 공정 후의 실리콘 질화막의 식각속도 감소율은 하기 관계식1을 만족하는 것인 실리콘 질화막 식각 조성물:[관계식1]△ERDSiNx ≤ 1%상기 관계식 1에서,△ERDSiNx 는 실리콘 질화막에 대한 초기 식각속도 대비 식각속도 감소율이다;[화학식

인산, 하기 화학식1로 표시되는 단위구조를 포함하는 규소 화합물 및 잔량의 물을 포함하는, 실리콘 질화막 식각 조성물로서,상기 실리콘 질화막 식각 조성물의 실리콘 질화막/산화막 식각 선택비(ESiNx /ESiO2)는 300 이상이고, 동일한 실리콘 질화막 식각 조성물을 이용하는 반복적인 식각 공정 후의 실리콘 질화막의 식각속도 감소율은 하기 관계식1을 만족하는 것인 실리콘 질화막 식각 조성물:[관계식1]△ERDSiNx ≤ 1%상기 관계식 1에서,△ERDSiNx 는 실리콘 질화막에 대한 초기 식각속도 대비 식각속도 감소율이다;[화학식1]상기 화학식1에서,R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 히드록시, 아미노, 할로겐, C1-20알킬, C1-20알콕시 또는 이들의 조합이고;R3 및 R4는 각각 독립적으로 황산기, 인산기, 폴리인산기 또는 이들의 조합을 포함하는 1가의 치환체이고;L1은 C1-20알킬렌이고, 상기 알킬렌의 -CH2-는 -O-, -S-, -C(=O)-, -NR'-, -SiR'R'- 또는 이들의 조합으로 대체될 수 있고, 상기 R'는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-20알킬이고, 단 L1은 -O-, -S-, -C(=O)-, -NR'-, -SiR'R'- 또는 이들의 조합은 아니고;a 및 b는 각각 독립적으로 1 또는 2의 정수이고, 상기 R1 내지 R4에서 선택되는 반복의 치환체는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.