초록 ▼

본 발명은 실리콘질화막 식각을 위한 고선택비 식각용 조성물에 관한 것으로, 반도체 공정에서 실리콘질화막을 식각하여 제거하는 데 사용되며, 고온의 식각 공정에서 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 식각 속도가 선택적으로 높은 반도체 제조용 실리콘질화막의 고선택비 식각용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 고선택비 식각용 조성물은 적층되어 있는 실리콘질화막과 실리콘산화막 중 실리콘질화막을 선택적으로 식각, 즉 2000 : 1 이상의 선택비로 식각하는 동시에 실리콘산화막에 데미지 및 식각속도를 최소화 하고 공정시간에 따른 적층구조의

본 발명은 실리콘질화막 식각을 위한 고선택비 식각용 조성물에 관한 것으로, 반도체 공정에서 실리콘질화막을 식각하여 제거하는 데 사용되며, 고온의 식각 공정에서 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 식각 속도가 선택적으로 높은 반도체 제조용 실리콘질화막의 고선택비 식각용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 고선택비 식각용 조성물은 적층되어 있는 실리콘질화막과 실리콘산화막 중 실리콘질화막을 선택적으로 식각, 즉 2000 : 1 이상의 선택비로 식각하는 동시에 실리콘산화막에 데미지 및 식각속도를 최소화 하고 공정시간에 따른 적층구조의 무너짐 현상이 일어나지 않는다.

대표청구항

하기 화학식 1 로 표시되는 화합물, 인산, 실리콘 화합물, 아미노산 화합물 및 물을 포함하고, 실리콘산화막에 대하여 실리콘질화막을 선택적으로 식각하는 실리콘질화막의 식각용 조성물.[화학식 1]

하기 화학식 1 로 표시되는 화합물, 인산, 실리콘 화합물, 아미노산 화합물 및 물을 포함하고, 실리콘산화막에 대하여 실리콘질화막을 선택적으로 식각하는 실리콘질화막의 식각용 조성물.[화학식 1]