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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0104332 (2019-08-26) | |
공개번호 | 10-2020-0026716 (2020-03-11) | |
등록번호 | 10-2258307-0000 (2021-05-25) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020180104517 (2018-09-03) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190104332 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-02-05) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 실리콘 질화막 식각 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로 폴리규소 화합물을 식각 조성물에 포함함으로써 실리콘 질화막을 실리콘 산화막 대비 높은 선택비로 식각할 수 있는 실리콘 질화막용 식각 조성물, 이를 이용한 실리콘 질화막의 식각 방법 및 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
인산, 하기 화학식1로 표시되는 단위구조를 포함하는 규소 화합물 및 잔량의 물을 포함하는, 실리콘 질화막 식각 조성물로서,상기 실리콘 질화막 식각 조성물의 실리콘 질화막/산화막 식각 선택비(ESiNx /ESiO2)는 300 이상이고, 동일한 실리콘 질화막 식각 조성물을 이용하는 반복적인 식각 공정 후의 실리콘 질화막의 식각속도 감소율은 하기 관계식1을 만족하는 것인 실리콘 질화막 식각 조성물:[관계식1]△ERDSiNx ≤ 1%상기 관계식 1에서,△ERDSiNx 는 실리콘 질화막에 대한 초기 식각속도 대비 식각속도 감소율이다;[화학식
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