초록

본 발명은 반도체 공정에서 질화티탄막을 식각하여 제거하는 데 사용되는 것으로, 본 발명에 따른 질화티탄막을 선택적으로 식각하는 질화티탄막 식각용 조성물은 과산화수소, 질화티탄막 식각 가속제로 아민계 화합물, 텅스텐막 식각 억제제로 이미노 화합물을 포함한다.본 발명에 따른 질화티탄막의 식각용 조성물은 과산화수소 안정성을 유지하여 고온 발열 및 급격한 조성 변화가 없고, 질화티탄막과 텅스텐막 중 텅스텐막 식각속도 대비 질화티탄막 식각속도가 높은 선택비로 식각한다.

대표청구항

과산화수소, 질화티탄막 식각 가속제로 아민계 화합물, 텅스텐막 식각 억제제로 이미노 화합물을 포함하여 텅스텐막 대비 질화티탄막을 선택적으로 식각하는 것으로, 총 중량 100 대비, 과산화수소 99.94~99.96 wt%, 아민계 화합물 0.01~0.05 wt%, 이미노 화합물 0.0075~0.05 wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화티탄막의 식각용 조성물. 질화티탄막의 식각용 조성물.

과산화수소, 질화티탄막 식각 가속제로 아민계 화합물, 텅스텐막 식각 억제제로 이미노 화합물을 포함하여 텅스텐막 대비 질화티탄막을 선택적으로 식각하는 것으로, 총 중량 100 대비, 과산화수소 99.94~99.96 wt%, 아민계 화합물 0.01~0.05 wt%, 이미노 화합물 0.0075~0.05 wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화티탄막의 식각용 조성물. 질화티탄막의 식각용 조성물.