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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0142245 (2019-11-08) | |
공개번호 | 10-2021-0055903 (2021-05-18) | |
등록번호 | 10-2274206-0000 (2021-07-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190142245 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-11-08) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
개시된 이중층 그래핀의 제조 방법은, 촉매 기판을 준비하는 단계, 상기 촉매 기판 위에 탄소 소스를 제공하여 제1 그래핀층을 형성하는 단계, 플라즈마 스퍼터링을 통해 상기 제1 그래핀층에 확산 사이트를 형성하는 단계 및 상기 확산 사이트를 통해 상기 제1 그래핀층과 상기 촉매 기판 사이에 탄소 소스를 제공하여 제2 그래핀층을 형성하는 단계를 포함한다.
촉매 기판을 준비하는 단계; 상기 촉매 기판 위에 플라즈마 환경에서 탄소 소스를 제공하여 제1 그래핀층을 형성하는 단계; 탄소 소스의 플라즈마 스퍼터링을 통해 상기 제1 그래핀층에 확산 사이트를 형성하는 단계; 및 플라즈마 환경에서 상기 확산 사이트를 통해 상기 제1 그래핀층과 상기 촉매 기판 사이에 탄소 소스를 제공하여 제2 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 그래핀층을 형성하는 단계에서 탄소 소스의 유량은 5 sccm 미만이고, 상기 확산 사이트를 형성하는 단계 및 상기 제2 그래핀층을 형성하는 단계에서의 탄소 소스의
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