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연합인증

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그래핀층을 포함하는 배선 및 이의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/285
  • C01B-032/186
  • C23C-016/04
  • C23C-016/26
  • C23C-016/505
  • C23C-016/511
  • H01L-021/768
  • H01L-021/8234
출원번호 10-2021-0123368 (2021-09-15)
공개번호 10-2023-0040135 (2023-03-22)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210123368
발명자 / 주소
  • 신건욱 / 경기도 용인시 수지구 성복*로 **, ***동 ****호 (성복동, 성복역롯데캐슬골드타운)
  • 김기범 / 서울특별시 강남구 봉은사로***길 **, ****호(삼성동, 강변삼부아파트)
  • 변경은 / 경기도 성남시 분당구 미금로 ***, ***동 ***호 (구미동, 까치마을)
  • 신현진 / 경기도 수원시 권선구 곡반정로 ***, ***동 ***호 (곡반정동, 수원하늘채더퍼스트*단지)
  • 이민현 / 경기도 수원시 영통구 덕영대로 ****, ***동 ****호 (망포동, 영통아이파크캐슬*단지)
  • 이창석 / 경기도 수원시 영통구 덕영대로 ****, ***동 ****호 (망포동, 영통아이파크캐슬*단지)
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
  • 서울대학교산학협력단 / 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
대리인 / 주소
  • 리앤목특허법인
법적상태 공개

초록

본 개시는 그래핀층을 포함하는 배선 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 예시적인 실시예에 따른 배선 제조방법은 플라즈마 화학기상증착법을 이용해 기판 상에 적어도 하나의 층을 포함하는 그래핀층을 성장하는 단계 및 그래핀층에 메탈을 도핑하는 단계를 포함하며 성장 단계에서 그래핀층은 200℃ 내지 600℃에서 성장될 수 있다

대표청구항

플라즈마 화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)을 이용하여 200℃ 내지 600℃의 온도에서 하이드로카본 플라즈마를 사용하여 기판 상에 그래핀층을 성장하는 단계; 및상기 그래핀층에 메탈을 도핑하는 단계;를 포함하는 배선 제조방법.

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