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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-7000288 (2019-01-04) | |
공개번호 | 10-2019-0006071 (2019-01-16) | |
등록번호 | 10-2183937-0000 (2020-11-23) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/346,288 (2016-06-06) | |
국제출원번호 | PCT/US2017/027001 (2017-04-11) | |
국제공개번호 | WO 2017/213743 (2017-12-14) | |
번역문제출일자 | 2019-01-04 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020197000288 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-01-04) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 명세서에 개시된 실시예들은 일반적으로 Ⅲ-Ⅴ 에피택셜 성장 프로세스 또는 에칭 세정 프로세스 후에, 그리고 추가의 처리 이전에, 유해 가스들이 기판의 표면으로부터 제거되도록 기판 아웃개싱을 제어하기 위한 방법에 관한 것이다.산소 함유 가스가 로드락 챔버 내의 기판으로 유동되고, 후속하여 비-반응성 가스가 로드락 챔버 내의 기판으로 유동된다.그러한 것으로서, 유해 가스들 및 아웃개싱 잔류물들은 기판으로부터 감소 및/또는 제거되고, 그에 의해 추가 처리가 수행될 수 있게 된다.
방법으로서,(a) 챔버 내의 기판의 표면 상에 에피택셜 층을 퇴적하는 단계;(b) 그 위에 상기 에피택셜 층을 갖는 상기 기판을 상기 챔버로부터 제거하고 상기 기판을 기판 액세스 챔버 내로 전달하는 단계;(c) 산소 함유 가스를 제1 압력에서 상기 기판 액세스 챔버 내로 유동시키는 단계;(d) 상기 산소 함유 가스를 퇴적된 에피택셜 층의 잔류물들과 반응시킴으로써 상기 에피택셜 층으로부터 에피택셜 층 퇴적의 잔류물들을 제거하는 단계;(e) 상기 기판 액세스 챔버 내로의 상기 산소 함유 가스의 유동을 중단하는 단계;(f) 비-반응성 가
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