나카무라, 고
/ 일본국, 오카야마 *******, 쿠라시키-시, 미즈시마 카이간도리, *-**, 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드 미즈시마 공장내
후지타, 히데아키
/ 일본국, 오카야마 *******, 쿠라시키-시, 미즈시마 카이간도리, *-**, 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드 미즈시마 공장내
무라카미, 코타로
/ 일본국, 오카야마 *******, 쿠라시키-시, 미즈시마 카이간도리, *-**, 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드 미즈시마 공장내
시게마츠, 류스케
/ 일본국, 도쿄 *******, 치요다-구, 마루노우치 *-쵸메, *-*, 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드내
출원인 / 주소
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 / 일본 도꾜 ***-**** 찌요다구 마루노우찌 *-쪼메 *-*
대리인 / 주소
특허법인씨엔에스
심사청구여부
있음 (2020-07-06)
심사진행상태
등록결정(일반)
법적상태
등록
초록▼
이하의 공정(a)~(e); (a)p-페닐렌 화합물을 액상산화함으로써 조테레프탈산 결정을 얻는 공정, (b)상기 조테레프탈산 결정을 물에 용해시킨 후, 접촉수소화처리하는 공정, (c)상기 접촉수소화 후의 반응액을 2단 이상의 정석조를 이용하여 단계적으로 낙압, 강온하여 테레프탈산을 정석시켜 테레프탈산 슬러리를 얻는 공정, (d)상기 테레프탈산 슬러리를 모액치환탑의 상부에 도입하고, 테레프탈산 결정을 탑내에서 침강시키면서 모액치환탑의 탑저부로부터 도입된 치환수의 상승류와 접촉시키고, 상기 테레프탈산 결정을 상기 치환수와의 슬러리로서 탑
이하의 공정(a)~(e); (a)p-페닐렌 화합물을 액상산화함으로써 조테레프탈산 결정을 얻는 공정, (b)상기 조테레프탈산 결정을 물에 용해시킨 후, 접촉수소화처리하는 공정, (c)상기 접촉수소화 후의 반응액을 2단 이상의 정석조를 이용하여 단계적으로 낙압, 강온하여 테레프탈산을 정석시켜 테레프탈산 슬러리를 얻는 공정, (d)상기 테레프탈산 슬러리를 모액치환탑의 상부에 도입하고, 테레프탈산 결정을 탑내에서 침강시키면서 모액치환탑의 탑저부로부터 도입된 치환수의 상승류와 접촉시키고, 상기 테레프탈산 결정을 상기 치환수와의 슬러리로서 탑저부로부터 빼내는 공정, (e)상기 탑저부로부터 빼낸 슬러리를, 물과 테레프탈산 결정으로 고액분리하고, 분리한 테레프탈산 결정을 건조시키는 공정을 포함하는, 고순도 테레프탈산의 제조방법으로서, 상기 접촉수소화처리를 행하는 결정의 처리량을 Q[ton/hr], 상기 2단 이상의 정석조의 1단째의 정석조의 체류시간을 T1[hr], 상기 모액치환탑의 단면적을 A[m2]로 할 때, 하기의 조건(1)~(3); (1)0.07≤T1≤0.5 (2)0.3≤A/Q≤0.8 (3)0.035≤T1×A/Q≤0.25를 모두 만족시키는, 고순도 테레프탈산의 제조방법은, 효율적으로 모액치환이 행해지고, 고액분리 후의 정제 테레프탈산 케이크의 건조공정시의 가열부하가 작고, 또한, 폴리에스테르의 원료로서 양호한 거동을 나타내는 테레프탈산을 제조할 수 있다.
대표청구항▼
이하의 공정(a)~(e);(a)p-페닐렌 화합물을 액상산화함으로써 조테레프탈산 결정을 얻는 공정,(b)상기 조테레프탈산 결정을 물에 용해시킨 후, 접촉수소화 처리하는 공정,(c)상기 접촉수소화 후의 반응액을 2단 이상의 정석조를 이용하여 단계적으로 낙압, 강온하여 테레프탈산을 정석시켜 테레프탈산 슬러리를 얻는 공정,(d)상기 테레프탈산 슬러리를 모액치환탑의 상부에 도입하고, 테레프탈산 결정을 탑내에서 침강시키면서 모액치환탑의 탑저부로부터 도입된 치환수의 상승류와 접촉시키고, 상기 테레프탈산 결정을 상기 치환수와의 슬러리로 하여 탑저
이하의 공정(a)~(e);(a)p-페닐렌 화합물을 액상산화함으로써 조테레프탈산 결정을 얻는 공정,(b)상기 조테레프탈산 결정을 물에 용해시킨 후, 접촉수소화 처리하는 공정,(c)상기 접촉수소화 후의 반응액을 2단 이상의 정석조를 이용하여 단계적으로 낙압, 강온하여 테레프탈산을 정석시켜 테레프탈산 슬러리를 얻는 공정,(d)상기 테레프탈산 슬러리를 모액치환탑의 상부에 도입하고, 테레프탈산 결정을 탑내에서 침강시키면서 모액치환탑의 탑저부로부터 도입된 치환수의 상승류와 접촉시키고, 상기 테레프탈산 결정을 상기 치환수와의 슬러리로 하여 탑저부로부터 빼내는 공정,(e)상기 탑저부로부터 빼낸 슬러리를, 물과 테레프탈산 결정으로 고액분리하고, 분리한 테레프탈산 결정을 건조시키는 공정,을 포함하는, 테레프탈산의 제조방법으로서,상기 접촉수소화 처리를 행하는 결정의 처리량을 Q[ton/hr], 상기 2단 이상의 정석조의 1단째의 정석조의 체류시간을 T1[hr], 상기 모액치환탑의 단면적을 A[m2]로 했을 때, 하기의 조건(1)~(3);(1)0.07≤T1≤0.5(2)0.3≤A/Q≤0.8(3)0.035≤T1×A/Q≤0.25를 모두 만족시키는, 테레프탈산의 제조방법.
연구과제 타임라인
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이 특허에 인용된 특허 (1)
[미국]
Process for producing terephthalic acid |
Izumisawa Yoshiaki (Tokyo JPX) Kawahara Tukasa (Kitakyushu JPX) Toyosawa Akihiko (Kitakyushu JPX)
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