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[한국특허] 웨이퍼의 이산화규소 제거 방법 및 집적회로 제조 공정 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/311
  • H01L-021/02
  • H01L-021/033
  • H01L-021/306
  • H01L-021/762
  • H01L-027/11524
  • H01L-029/66
  • H01L-029/788
출원번호 10-2019-7008822 (2019-03-27)
공개번호 10-2019-0041518 (2019-04-22)
등록번호 10-2287682-0000 (2021-08-03)
우선권정보 중국(CN) 201610879096.2 (2016-10-08)
국제출원번호 PCT/CN2017/105369 (2017-10-09)
국제공개번호 WO 2018/064984 (2018-04-12)
번역문제출일자 2019-03-27
DOI http://doi.org/10.8080/1020197008822
발명자 / 주소
  • 마 전궈 / 중국 ****** 베이징 베이징 이코노믹-테크놀러지컬 디벨롭먼트 에어리어 넘버 * 원창 에비뉴
출원인 / 주소
  • 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. / 중국 베이징 ****** 베이징 경제기술개발구 웬창 애비뉴 넘버 *
대리인 / 주소
  • 김진환; 박지하; 김민철
심사청구여부 있음 (2019-03-27)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록 ▼

웨이퍼 상의 이산화규소를 제거하는 방법 및 제조 공정에 있어서, 상기 방법은, 공정 챔버에 탈수된 불화수소 기체(hydrogen fluoride gas)와 탈수된 에탄올 기체(alcohol gas)를 투입하는 단계(201); 상기 탈수된 불화수소 기체와 탈수된 에탈올 기체를 혼합하여, 기체 형태의 식각제를 생성하는 단계(202); 상기 식각제를 상기 공정 챔버 내의 웨이퍼와 반응시키고, 상기 공정 챔버 내부가 고압 상태를 유지하도록 하여 식각 선택비를 높이는 단계(203); 및 상기 반응물(반응 생성물)을 상기 공정 챔버 내부로부터

대표청구항 ▼

집적회로 제조 공정에 있어서,진공 환경 내 웨이퍼 상의 이산화규소 제거 방법; 및2D NAND 메모리 제조과정에서의 STI 리세스 서브 공정을 포함하며,상기 이산화규소 제거 방법은,공정 챔버 내부로 탈수(脫水)된 불화수소 기체 및 탈수된 에탄올 기체를 투입하고;상기 탈수된 불화수소 기체 및 탈수된 에탄올 기체를 혼합하여, 기체 형태의 식각제가 생성되도록 하고;상기 식각제와 상기 공정 챔버 내부의 웨이퍼를 반응시켜, 상기 공정 챔버 내부가 30Torr~300Torr의 압력 상태를 유지하도록 하여, 식각 선택비를 향상시키고;반응시킨 후

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  4. [한국] 반도체소자의 제조방법 | 남기원, 안현
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  5. [한국] 퇴적물 제거 방법 | 다하라 시게루, 니시무라 에이이치, 마츠모토 다카노리
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