초록

본원 발명은 반도체 공정의 이산화규소를 제거하는 방법으로서,(a) 이산화규소(SiO2)를 포함하는 흐름에 불산(HF)을 투입하여 규불화수소산(H2SiF6)을 생성하는 단계; 및(b) 상기 단계 (a)에서 얻어진 규불화수소산(H2SiF6)를 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 공정의 이산화규소를 제거하는 방법에 대한 것이다.

대표청구항 ▼

반도체 공정의 이산화규소를 제거하는 방법으로서,(a) 이산화규소(SiO2)를 포함하는 흐름에 불산(HF)을 투입하여 규불화수소산(H2SiF6)을 생성하는 단계; 및(b) 상기 단계 (a)에서 얻어진 규불화수소산(H2SiF6)를 제거하는 단계;를 포함하며,상기 이산화규소(SiO2)의 평균 입경은 10 ㎛이하이고,상기 단계 (a)의 반응은 하기와 같은 화학식 1 내지 2와 같은 과정이며,SiO2 + 4HF → SiF4 + 2H2O(1)SiF4 + 2H2O + 2HF → H2SiF6 + 2H2O(2)상기 화학식 1 내지 2에 따른 반응은

반도체 공정의 이산화규소를 제거하는 방법으로서,(a) 이산화규소(SiO2)를 포함하는 흐름에 불산(HF)을 투입하여 규불화수소산(H2SiF6)을 생성하는 단계; 및(b) 상기 단계 (a)에서 얻어진 규불화수소산(H2SiF6)를 제거하는 단계;를 포함하며,상기 이산화규소(SiO2)의 평균 입경은 10 ㎛이하이고,상기 단계 (a)의 반응은 하기와 같은 화학식 1 내지 2와 같은 과정이며,SiO2 + 4HF → SiF4 + 2H2O(1)SiF4 + 2H2O + 2HF → H2SiF6 + 2H2O(2)상기 화학식 1 내지 2에 따른 반응은 pH 2 이하에서 진행되는 반도체 공정의 이산화규소를 제거하는 방법.