최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2019-7028456 (2019-09-27) | |
공개번호 | 10-2019-0116525 (2019-10-14) | |
등록번호 | 10-2267755-0000 (2021-06-16) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2017-088218 (2017-04-27) | |
국제출원번호 | PCT/JP2018/005150 (2018-02-15) | |
국제공개번호 | WO 2018/198488 (2018-11-01) | |
번역문제출일자 | 2019-09-27 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020197028456 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2019-09-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
초크랄스키법에 의해, 석영 도가니 내에서 결정용 실리콘 원료를 용융시킨 용융액으로부터 실리콘 단결정을 인상하여 육성시키는 실리콘 단결정의 인상 방법에 있어서, 석영 도가니의 내벽이 합성 석영층일 때, 결정용 실리콘 원료를 석영 도가니 내에 충전하기 전에, 실투 촉진제와 증점제와 용매를 포함하는 젤상 액체를 석영 도가니 내벽의 저면에, 혹은 저면과 측면의 쌍방에 도포하고, 석영 도가니의 내벽이 천연 석영층일 때, 결정용 실리콘 원료를 석영 도가니 내에 충전하기 전에, 젤상 액체를 석영 도가니 내벽의 저면과 측면의 쌍방에 도포한다.
초크랄스키법에 의해, 석영 도가니 내에서 결정용 실리콘 원료를 용융시킨 용융액으로부터 실리콘 단결정을 인상하여 육성시키는 실리콘 단결정의 인상 방법에 있어서, 상기 석영 도가니의 내벽이 합성 석영층일 때, 상기 결정용 실리콘 원료를 상기 석영 도가니 내에 충전하기 전에, 실투(失透) 촉진제와 증점제와 용매를 포함하는 점도 10∼500mPa·s의 젤상 액체를 상기 석영 도가니 내벽의 저면에, 혹은 저면과 측면의 쌍방에 도포하고, 상기 석영 도가니의 내벽이 천연 석영층일 때, 상기 결정용 실리콘 원료를 상기 석영 도가니 내에 충전하기
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.