초록

본 발명은, 미세 피치에 대한 유동성을 확보하고 낮은 온도에서 경화가 가능한 반도체 장치용 언더필 물질을 제공한다. 상기 반도체 장치용 언더필 물질은, 0.1 wt% 내지 27.3 wt% 범위의 활성제; 6.7 wt% 내지 83.7 wt% 범위의 필러; 7.4 wt% 내지 31.9 wt% 범위의 경화제; 0.1 wt% 내지 2.5 wt% 범위의 첨가제; 및 잔부는 에폭시;를 포함한다.

대표청구항

0.1 wt% 내지 27.3 wt% 범위의 활성제;6.7 wt% 내지 83.7 wt% 범위의 필러;7.4 wt% 내지 31.9 wt% 범위의 경화제;0.1 wt% 내지 2.5 wt% 범위의 첨가제; 및잔부는 에폭시;를 포함하는, 반도체 장치용 언더필 물질.

0.1 wt% 내지 27.3 wt% 범위의 활성제;6.7 wt% 내지 83.7 wt% 범위의 필러;7.4 wt% 내지 31.9 wt% 범위의 경화제;0.1 wt% 내지 2.5 wt% 범위의 첨가제; 및잔부는 에폭시;를 포함하는, 반도체 장치용 언더필 물질.