초록

본 발명은 양극재에 도핑된 금속의 함량을 분석하는 방법에 관한 것으로, 양극재의 도핑에 실제적으로 기여한 금속의 함량을 분석할 수 있으므로 양극재의 성능을 극대화할 수 있고, 제품의 개발, 생산 및 관리에 기여할 수 있다.

대표청구항

1) 시료에 30 내지 50%(v/v) 농도의 염산을 가하여 가열 반응시키는 단계;2) 5 내지 20%(v/v)염산 수용액을 첨가하는 단계;3) 과산화수소수를 첨가하여 반응시키는 단계;4) 스칸듐(Sc)을 첨가하는 단계;5) 불용분을 분리하는 단계; 및6) 금속의 농도를 ICP-OES로 측정하는 단계를 포함하는 양극재에 도핑된 금속 함량의 분석 방법.

1) 시료에 30 내지 50%(v/v) 농도의 염산을 가하여 가열 반응시키는 단계;2) 5 내지 20%(v/v)염산 수용액을 첨가하는 단계;3) 과산화수소수를 첨가하여 반응시키는 단계;4) 스칸듐(Sc)을 첨가하는 단계;5) 불용분을 분리하는 단계; 및6) 금속의 농도를 ICP-OES로 측정하는 단계를 포함하는 양극재에 도핑된 금속 함량의 분석 방법.